| 专利名称 | 高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201710011291.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106868593A | 公开（授权）日 | 2017.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 夏长泰;张宏哲;王林军;赛青林;周威;齐红基;潘明艳 | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法 至高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电阻率低至10?3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2?2x?2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。 |
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