| 专利名称 | 一种三维存储器读出电路及读出方法 | 申请号 | CN201710092925.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106875963A | 公开（授权）日 | 2017.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷宇;陈后鹏;宋志棠 | 主分类号 | G11C5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C5/02(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维存储器读出电路及读出方法 至一种三维存储器读出电路及读出方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种三维存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电路，产生一个可以快速区分读低阻态单元电流和读高阻态单元电流的读参考电流；以及灵敏放大器。读参考电路包括参考单元、位线匹配模块、字线匹配模块和传输门寄生参数匹配模块。本发明针对三维存储器在平面和垂直方向的寄生效应和漏电，在读参考电流中引入对位线寄生参数、漏电和传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且适用范围广、读出正确率高。 |
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