| 专利名称 | 一种SOI MOS器件的热阻提取方法 | 申请号 | CN201710021085.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106802385A | 公开（授权）日 | 2017.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;王成成;卢剑;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 专利有效期 | 一种SOI MOS器件的热阻提取方法 至一种SOI MOS器件的热阻提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI?MOS器件的热阻提取方法，包括：在第一MOS器件处于非工作状态时，测试第二MOS器件在不同温度下的亚阈值斜率，获得亚阈值斜率标准数据；在第一环境温度下，测试当第一MOS器件处于工作状态时，第二MOS器件的当前亚阈值斜率；根据当前亚阈值斜率和亚阈值斜率标准数据，确定第一MOS器件的当前工作温度；根据当前工作温度与第一环境温度的差值，确定第一MOS器件的热阻。本发明提供的方法，解决了现有技术中PIV法测量热阻，存在的设备昂贵的技术问题。实现了一种简单且成本低的热阻测量方法。 |
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