| 专利名称 | 一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用 | 申请号 | CN201510834660.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106801251A | 公开（授权）日 | 2017.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司;中国科学院国有资产经营有限责任公司 | 发明（设计）人 | 郑伟;张学锋;杨海成;庞运伟;佟辉 | 主分类号 | C30B17/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用 至一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用，属于晶体生长制备技术领域。该工艺是在晶体等径后期的收尾阶段，降低底部的粘锅程度，以及判断晶体生长完毕后，晶体脱埚的工艺。本发明的优点在于：脱埚成功率可达80％以上；可有效解决晶体生长后期底部大面积粘埚现象，使晶体与坩埚壁分离，处于悬空状态，晶体直径一致性好，明显减小或消除晶体热应力，大幅降低晶体开裂的几率，提高晶体成品率和良率，并可有效缩短生长周期，有利于降低生产成本。 |
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