| 专利名称 | Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途 | 申请号 | CN201710043512.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106800297A | 公开（授权）日 | 2017.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 罗军华;赵炳卿;赵三根 | 主分类号 | C01B33/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/20(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B9/08(2006.01)I | 专利有效期 | Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途 至Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的0.5倍，其紫外吸收截止边短于200nm，且不吸潮；采用助熔剂法，以Rb2O?B2O3作助熔剂可以生长出具有一定尺寸的透明的Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体；Rb2ZnSi3O8晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于加工、保存和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外与深紫外波段的非线性光学应用。 |
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