| 专利名称 | 硅基电容式声发射传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201510881188.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106841396A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 杨恒;王小飞;豆传国;孙珂;吴燕红;李昕欣 | 主分类号 | G01N29/14(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N29/14(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基电容式声发射传感器及其制备方法 至硅基电容式声发射传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位于声发射敏感膜与边框之间；下电极硅片，下表面设有下电极，上表面设有第二绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层上下对应，且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形，使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面，声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上；在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后，声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙，可极大地提高传感器的灵敏度。 |
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