| 专利名称 | 降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法 | 申请号 | CN201710000723.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106835020A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 朱美萍;许诺;孙建;王建国;张伟丽;王胭脂;易葵;邵建达 | 主分类号 | C23C14/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/10(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 专利有效期 | 降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法 至降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种降低氧化铪?氧化硅多层膜表面粗糙度的方法，使用HfO2?SiO2混合膜层取代多层膜中每一层纯HfO2膜层，蒸镀完SiO2膜层后，电子束同时蒸发HfO2膜料和SiO2膜料，HfO2和SiO2膜料沉积速率的比例大于4:1。本发明能够大幅降低HfO2?SiO2多层膜表面粗糙度，而且不会影响光谱和损伤阈值等性能。 |
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