一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器

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专利名称 一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器 申请号 CN201710208072.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106848837A 公开(授权)日 2017.06.13 申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 张星;钟础宇;张建伟;秦莉;宁永强 主分类号 H01S5/183(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I 专利有效期 一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器 至一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本申请公开了一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器,包括依次设置于N面电极上表面的衬底层、N型DBR层、有源层和P型DBR层,分别构成圆柱形台面和分段柱形台面,圆柱形台面周围开设环形窗口,其底部位于N型DBR层中,其底面和侧面及位于其周围的P型DBR层的一部分上表面设置有介质薄膜电流限制层,其侧面和上表面以及上表面周围的P型DBR层的一部分上表面设置P面电极,分段柱形台面的P型DBR层的上表面位于P面电极外周部以外的区域覆盖有激光反射镜,能够在不增加器件工艺和材料生长工艺复杂程度,不使用外部温控,不影响器件性能的前提下,使其波长移动至满足应用需求的范围内,避免器成品率下降的问题。

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