| 专利名称 | 一种低温质子导体固体氧化物电解池 | 申请号 | CN201510882066.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106835191A | 公开（授权）日 | 2017.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 涂宝峰;程谟杰 | 主分类号 | C25B11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25B11/04(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温质子导体固体氧化物电解池 至一种低温质子导体固体氧化物电解池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低温质子导体固体氧化物电解池，该电解池包括电解质、氢电极和氧电极，其中，所述氢电极组成为：NiO和BaCe0.6Zr0.25Y0.15O3-δ；所述氧电极组成为：BaCe0.6Zr0.25Y0.15O3-δ和BaCoaFebZrcYdO3-δ，其中，0≤a≤0.5，0≤b≤0.5，0≤c≤0.4，0≤d≤0.4。所述质子导体电解质材料为：BaCe0.6Zr0.25Y0.15O3-δ。该质子导体固体氧化物电解池在低温(300～600℃)条件下具有高的水电解活性。 |
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