| 专利名称 | 铝硅酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201510857025.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106811800A | 公开（授权）日 | 2017.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;陈幸龙;张方方 | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 铝硅酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途 至铝硅酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铝硅酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的分子式为Li3AlSiO5，分子量155.89，正交晶系，空间群Pna21(No.33)，晶胞参数为a=5.331(3)?，b=?15.551(9)?，c=4.782(3)?，Z=4，V=396.4(4)?3。其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的0.8倍，具有宽的透光波段，透光波段175nm至6000nm。采用助溶剂法生长晶体，该晶体制备方法简单，成本低，制得的晶体机械硬度适中，易于切割、抛光加工和保存。通过本发明所述方法获得的铝硅酸锂非线性光学晶体可用于制备非线性光学器件倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等，应用波段能覆盖从深紫外到近红外的广泛区域。是一种具有应用价值的非线性光学晶体。 |
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