一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法

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专利名称 一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法 申请号 CN201510873494.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106811415A 公开(授权)日 2017.06.09 申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 发明(设计)人 秦建华;朱玉娟;尹方超;李中玉 主分类号 C12M3/06(2006.01)I IPC主分类号 C12M3/06(2006.01)I 专利有效期 一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法 至一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法,该微流控芯片主要由顶层芯片、多孔滤膜、中间层芯片,底层芯片组成,多孔滤膜通过不可逆封接顶层芯片的下表面,然后通过PDMS粘合中间芯片的上表面。底层培养室的坑状结构用于体外细胞、组织和器官的三维培养。该微流控芯片同时具有transwell小室、微流控芯片以及体外三维培养的功能,并可以实时观察底层芯片的细胞生长状况,可应用于药物代谢、器官发育等生物学研究。

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