| 专利名称 | 一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法 | 申请号 | CN201611127233.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106767596A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 陈宇航;黄文浩 | 主分类号 | G01B21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B21/00(2006.01)I;G01B11/00(2006.01)I;G01B9/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法 至一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种同时表征微纳米成像测量仪器多种性能的方法。首先，预备参考样块，该参考样块表面具有预先设定的三维尺寸的二维非周期编码光栅结构和渐变节距的栅线结构；随后，通过微纳米成像测量仪器对该参考样块表面进行扫描成像；最后，对扫描成像的结果进行分析处理，获得该微纳米成像测量仪器随时间的漂移值、分辨力以及xyz三个坐标方向上尺寸测量的校准系数。根据本发明的上述方法，能够方便的利用单个参考样块上实现对微纳米成像测量仪器的分辨力、xyz尺寸测量精度、时间稳定性等关键性能的表征和校准标定，并且具有漂移测量范围大、对比度高、不易受干扰等优点。 |
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