| 专利名称 | 一种高性能掺杂钛酸锶氧化物热电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201611195895.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106784279A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 北京科技大学;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈吉堃;陈立东;史迅;姜勇;仇鹏飞;张天松;陈宏毅;郝峰;江彬彬;李宇龙 | 主分类号 | H01L35/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/14(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高性能掺杂钛酸锶氧化物热电薄膜的制备方法 至一种高性能掺杂钛酸锶氧化物热电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备高性能掺杂型钛酸锶钙钛矿氧化物热电薄膜的方法。本发明通过控制等离子体性质以及衬底条件，实现掺杂型钛酸锶薄膜材料在与之晶格体结构相同且参数失配的氧化物单晶衬底表面的外延共格生长，并产生界面应力场。通过薄膜材料中的应力场与材料晶格畸变程度调节薄膜材料晶体结构性质、电子结构性质、极化特性、以及薄膜与衬底间界面性质，从而实现对材料电导率与赛贝克系数等热电传输性能的大幅同时提高。所制备的掺杂型钛酸锶薄膜材料的室温热电功率因子在50?10000μW/(cm*K2)。本方法所制备的高性能掺杂型钛酸锶薄膜材料可以进一步应用于热电器件的设计与制备，从而大幅提高所制备热电器件在实现温差发电、制冷、温度传感等功能时的热能电能转换效率。 |
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