| 专利名称 | 一种硒化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201611184377.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106783541A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 胡劲松;何超;薛丁江;刘顺畅 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C18/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硒化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池及其制备方法 至一种硒化亚锗多晶薄膜和含有该薄膜的太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高质量的硒化亚锗多晶薄膜及其制备方法，及含有该硒化亚锗多晶薄膜的太阳能电池及其制备方法。所述硒化亚锗多晶薄膜厚度为300～500nm，所述制备方法是采用近空间升华法，且所述方法制备工艺简单，反应周期短，成膜质量好。所述太阳能电池中p型吸收层材料GeSe中所含元素均为地壳中含量较高的元素，资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好，其间接禁带宽度为1.12eV，其吸收边波长约为1000nm，对太阳光谱的响应处于最理想的太阳光谱波段，吸光系数高达105cm?1，同时因其升华特性可利用近空间升华法快速成膜，因此由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。 |
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