| 专利名称 | 硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片 | 申请号 | CN201611088806.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106788765A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李明;唐健;刘宇;袁海庆;祝宁华 | 主分类号 | H04B10/516(2013.01)I | IPC主分类号 | H04B10/516(2013.01)I;H04B10/54(2013.01)I | 专利有效期 | 硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片 至硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片，该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括：2个单模垂直耦合光栅，2个调制模块，1个2×1多模干涉耦合器，1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工作，将偏振复用与波分复用相结合，实现复杂格式调制，提高数据调制速率。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片可实现双偏振16进制正交幅度调制，满足下一代光通信系统要求的高阶格式调制，调制速率可达到甚至超过400Gbit/s。 |
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