| 专利名称 | 晶体管激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201710063242.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106785918A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁松;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管激光器及其制作方法 至晶体管激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。 |
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