| 专利名称 | 一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构 | 申请号 | CN201611181748.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106783486A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 冯鸿涛;张志诚;陈艳;谢耀钦 | 主分类号 | H01J35/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J35/06(2006.01)I;H01J35/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构 至一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构，其包括碳纳米管、导电底座、绝缘罩、绝缘垫片、聚焦桶、栅网、阳极靶、铍窗和球管，绝缘罩的底部与导电底座配合并将碳纳米管、绝缘垫片和栅网由下而上依次安装在导电底座的顶部，聚焦桶设置在绝缘罩的顶部，当对导电底座和栅网分别施加电压到阈值后，通过栅网调控碳纳米管产生的电流强度，电子从碳纳米管的端面拉出，经过聚焦桶进行电子聚焦形成光斑打在阳极靶上，产生X射线并朝铍窗方向透射出去。采用本发明，能解决传统X射线源采用热阴极作为电子源而导致工作温度高、功耗大、启动速度慢，使用寿命短、不利于实现射线源的小型化的问题，同时实现对场致发射的调控。 |
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