| 专利名称 | 一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法 | 申请号 | CN201611019332.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106756871A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 于广辉;吴天如;谢晓明;时志远;陈吉;张燕辉;隋妍萍;陈志蓥 | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法 至一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法。方法包括：步骤A：分别提供衬底、源物质Ⅰ、源物质Ⅱ、以及碳源，将衬底升温，在保护气氛下使碳源溶解到衬底的表面，源物质Ⅰ与源物质Ⅱ分别受热挥发，进一步在溶解有碳的衬底的表面沉积并反应生成一种过渡金属硫族化合物二维材料；步骤B：控制衬底以一定的降温速率进行降温，在过渡金属硫族化合物二维材料与衬底的界面处析出石墨烯，从而获得一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构。本方法生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为后期制备过渡金属硫族化合物二维材—石墨烯相关的微电子器件奠定了良好的基础。 |
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