基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法

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专利名称 基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法 申请号 CN201710040989.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106772752A 公开(授权)日 2017.05.31 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 郭智慧;龙亮;杨恒;钟少龙 主分类号 G02B5/28(2006.01)I IPC主分类号 G02B5/28(2006.01)I;G02F1/025(2006.01)I 专利有效期 基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法 至基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法,包括:1)提供半导体基底,在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽;2)提供键合基底,在键合基底的第一表面形成第三凹槽;3)将半导体基底与键合基底键合;4)在键合基底内形成光纤安装孔;5)在半导体基底的第二表面形成光学增透膜;6)刻蚀半导体基底,以形成贯穿半导体基底的通孔;7)在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极,在半导体基底的第二表面形成第二电极;8)释放可动质量块结构;9)在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔,在降低驱动电压的同时,极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。

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