| 专利名称 | 一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法 | 申请号 | CN201611130948.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106756869A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 于广辉;张燕辉;隋妍萍;陈志蓥;邓荣轩;葛晓明;梁逸俭;胡诗珂 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法 至一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），在金属箔片的第一表面沉积氧化物，金属箔片的第二表面为金属面，将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来，形成金属堆垛或金属卷；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过在金属箔片背面沉积氧化物的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量或大面积的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。 |
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