| 专利名称 | 一种氧化物介质的原子层沉积方法 | 申请号 | CN201611244141.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106756878A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;苏玉玉 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氧化物介质的原子层沉积方法 至一种氧化物介质的原子层沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合。本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。 |
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