| 专利名称 | 半导体单管激光器的存储装置 | 申请号 | CN201611121055.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106742604A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王鑫;吴霞;王翠鸾;井红旗;刘素平;马骁宇 | 主分类号 | B65D25/52(2006.01)I | IPC主分类号 | B65D25/52(2006.01)I;B65D25/10(2006.01)I;B65D21/032(2006.01)I;B65D85/86(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体单管激光器的存储装置 至半导体单管激光器的存储装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体单管激光器的存储装置，由n个存储层叠置而成，每个存储层具有基板，基板上为上表面有凹陷空间的矩形平台，凹陷空间中有横向和纵向周期排列的矩形体，每个矩形体上有“+”字形凸台，“+”字形凸台向内凹陷的一个位置与相邻的三个“+”字形凸台向内凹陷位置形成“+”字形凸台为限位的存储空间，则“+”字形凸台四周形成四个相等的存储空间，用于存储半导体单管激光器；基板的下表面有与矩形平台相配合的凹槽，凹槽内与存储空间内角相对应的位置具有柱体，当存储层叠置于另一存储层时，柱体固定另一存储层的半导体单管激光器。本发明能有效避免单管出光面产生的任何损伤、金丝坍塌造成激光器正负极短路；还可将不同的单管分类存储。 |
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