| 专利名称 | 一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法 | 申请号 | CN201710050894.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106711091A | 公开（授权）日 | 2017.05.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘艳松;赵超 | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法 至一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法，MEMS晶圆切割方法包括：将提供的MEMS晶圆贴在第一贴膜上，使MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区位于第一贴膜的镂空区内；对MEMS晶圆背离MEMS芯片的表面进行切割；对切割后的MEMS晶圆进行扩片，得到多个独立的MEMS芯片。由于第一贴膜包括与MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区相对应的镂空区；在将MEMS晶圆贴在第一贴膜上时，MEMS芯片元件区位于第一贴膜的镂空区内，从而在后续晶圆扩片过程中，使得第一贴膜对MEMS芯片的粘附力较小，避免了贴膜粘附力对MEMS芯片元件区的机械应力，进而降低了MEMS芯片的破片率，提高了MEMS芯片的产能。 |
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