| 专利名称 | GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201510783197.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106711764A | 公开（授权）日 | 2017.05.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙钱;冯美鑫;周宇;杨辉;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 至GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。 |
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