| 专利名称 | 一种半导体器件及其制作方法 | 申请号 | CN201710019827.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106707715A | 公开（授权）日 | 2017.05.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张学军;张志宇;薛栋林;王孝坤;程强 | 主分类号 | G03H1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G03H1/04(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制作方法 至一种半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，在形成刻蚀膜之前增加一层截止膜，截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的速率。在对刻蚀膜进行刻蚀时，刻蚀速率快的部分，刻蚀膜首先被刻蚀完成，此时开始刻蚀截止膜；而刻蚀速率较小的部分继续刻蚀刻蚀膜，由于截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的刻蚀速率，因此，刻蚀膜被刻蚀较快的部分在截止膜部分等待刻蚀较慢的部分到达截止膜。当刻蚀较慢的刻蚀膜被刻蚀掉时，结束整个刻蚀加工过程，以形成计算全息图。本发明提供的半导体器件制作方法中将刻蚀膜的刻蚀深度均匀性转化为刻蚀膜的生长均匀性，刻蚀膜的生长均匀性相对于刻蚀膜的刻蚀深度均匀性更容易实现，从而降低了半导体器件的制作工艺对刻蚀设备精度的要求。 |
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