| 专利名称 | 一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法 | 申请号 | CN201510779021.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106702320A | 公开（授权）日 | 2017.05.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王业亮 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法 至一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种超导体-绝缘体-金属异质薄膜材料为层状结构，包括金属铪基底层、五碲化铪膜结构层和三碲化铪膜结构层，该层状结构在二维平面内扩展。制备方法：在真空环境下，将适量高纯度碲蒸发沉积到过渡金属铪基底表面；进行退火处理，以使沉积的碲原子和所述基底上的金属铪原子相互作用形成五碲化铪二维有序晶态膜状结构；进一步退火处理，使形成的所述五碲化铪二维有序晶态膜状结构的表面再次发生结构变化形成三碲化铪，最终形成三碲化铪-五碲化铪-金属铪二维叠层结构，得到超导体-绝缘体-金属异质薄膜材料。制备工艺相对简单，获得的异质结构薄膜缺陷少，界面不易被污染，提高了异质结构薄膜的品质。 |
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