| 专利名称 | 一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法 | 申请号 | CN201611123442.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653608A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许静;闫江;陈邦民;唐波;王红丽;唐兆云 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法 至一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供一种基于体硅的SOI?FinFET的制作方法，在外延锗硅层时，所述锗硅层上带有开口，使得锗硅层在开口处断开，后续外延Fin结构层时，以Fin结构层材料填充该部分，在后续刻蚀去除锗硅层时，由于锗硅层的刻蚀速率远远大于Fin结构层的刻蚀速率，开口处的Fin结构层可以作为锗硅层的刻蚀停止层，从而使得开口处的Fin结构层的尺寸由开口的尺寸决定，进而使得开口处的Fin结构层尺寸容易控制，也即后续形成隐埋氧化层的尺寸较容易控制，避免了因隐埋氧化层的尺寸过小出现Fin容易倾倒或因隐埋氧化层的尺寸过大，氧化不完整，未被全部氧化的问题，进而提高了基于体硅的SOIFinFET器件的性能。 |
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