| 专利名称 | 相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 | 申请号 | CN201510737451.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106654005A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;丁科元;饶峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 至相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1-x层及位于所述TixTe1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间TixTe1-x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；TixTe1-x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。 |
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