| 专利名称 | 一种太赫兹光源器件及其制作方法 | 申请号 | CN201510740432.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653838A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙钱;周宇;冯美鑫;高宏伟;秦华;孙建东;杨辉 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01S1/02(2006.01)N | 专利有效期 | 一种太赫兹光源器件及其制作方法 至一种太赫兹光源器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的Via结构，所述基于V型坑的Via结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的Via结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障