| 专利名称 | 一种忆阻器及其应用 | 申请号 | CN201611178578.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106654009A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 诸葛飞;胡令祥;曹鸿涛 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种忆阻器及其应用 至一种忆阻器及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种忆阻器，包括：依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层；所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成，其中，硫族化合物层与底电极层相接，氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合，使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压，表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用，该忆阻器表现出很好的突触可塑性，并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性，成功制备出高灵敏性的神经突触仿生器件。 |
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