| 专利名称 | 一种MEMS红外光源及其制作方法 | 申请号 | CN201611265716.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106629577A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 明安杰;刘卫兵;孙西龙;毛海央;陈大鹏 | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种MEMS红外光源及其制作方法 至一种MEMS红外光源及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种MEMS红外光源及其制作方法，其中，MEMS红外光源包括衬底、支撑层、金属电极、热偶条结构层、加热电阻层、隔离保护层和辐射层，所述热偶条结构层形成在红外光源内部芯片，形成耦合热电堆形成温度传感器，采用热电堆耦合的温度传感器实时监测红外光源的辐射温度变化，由于热电堆耦合的温度传感器制作工艺成熟，测量精度高，温度测量范围大，具有高灵敏度和稳定性的优势，可有效提高NDIR系统的探测精度和分辨率，在NDIR气体传感领域有应用前景。由于MEMS红外光源的各个结构均可以采用CMOS或MEMS工艺制作，从而便于与MEMS红外光源内部芯片的制作工艺兼容，减小了MEMS红外光源的制作工艺难度。 |
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