| 专利名称 | 一种场发射冷阴极及其制造方法 | 申请号 | CN201611124177.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106653520A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 洪序达;梁栋;石伟 | 主分类号 | H01J19/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J19/24(2006.01)I;H01J35/06(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种场发射冷阴极及其制造方法 至一种场发射冷阴极及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种场发射阴极的制造方法，所述方法包括：提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片，在所述石墨烯纳米片的表面沉积六方氮化硼纳米片，使得六方氮化硼纳米片与石墨烯纳米片之间形成稳定的复合纳米结构，降低了石墨烯的功函数，增加了石墨烯表面的局域电场，从而明显降低阴极的开启电场，提高其发射电流。并且，六方氮化硼纳米片部分阻止了石墨烯受到阳离子的轰击，提高了阴极的发射稳定性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障