| 专利名称 | 吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮及其聚合物 | 申请号 | CN201611183130.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106632410A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 于贵;高冬;陈智慧;张卫锋 | 主分类号 | C07D519/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D519/00(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮及其聚合物 至吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮及其聚合物 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物。该吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物的结构如式Ⅰ所示。以本发明吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率为1.31×10?3cm2V?1s?1，开关比大于103?104；在有机场效应晶体管器件中有非常高的应用前景。 |
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