| 专利名称 | 反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法 | 申请号 | CN201710014820.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106625282A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 山东大学;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 姚鹏;牛佳慧;黄传真;张志宇;薛栋林;朱洪涛;王冲 | 主分类号 | B24C1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B24C1/08(2006.01)I | 专利有效期 | 反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法 至反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，属于碳化硅陶瓷素坯表面处理技术领域，其在一定的加工参数下，对碳化硅陶瓷素坯进行磨料水射流铣削，其中，所述的加工参数满足的条件是：磨料水射流的射流能量仅仅铣削掉硅而不足以去除碳化硅。本发明解决了现有技术中，依靠人工打磨反应烧结碳化硅表面残留物的耗费人力物力、加工效率低且工作环境恶劣等问题。本发明采用磨料水射流对反应烧结而成的碳化硅陶瓷素坯进行铣削加工，可以有效去除陶瓷表面残留的硅凸起，且对碳化硅陶瓷没有损伤。故本发明属于一种选择性表面处理技术。 |
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