| 专利名称 | Ge?Se?Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法 | 申请号 | CN201611262613.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601911A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘广宇;宋志棠;吴良才;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | Ge?Se?Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法 至Ge?Se?Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种Ge?Se?Al?OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，其中，该Ge?Se?Al?OTS材料的化学通式为GexSeyAl100?x?y，x、y均指元素的原子百分比，且满足40<x<60，40<y<100?x，本发明所提供的应用Ge?Se?Al?OTS材料的OTS选通器单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变，而且，在撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变，将Ge?Se?Al?OTS材料作为OTS选通器单元的介质时，OTS选通器单元不仅具有阈值电压低、开关比大等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。 |
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