| 专利名称 | 硅基InGaAs沟道双栅COMS器件 | 申请号 | CN201611226809.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601740A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;王盛凯 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基InGaAs沟道双栅COMS器件 至硅基InGaAs沟道双栅COMS器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。 |
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