| 专利名称 | 一种光透半导体材料及其制备方法 | 申请号 | CN201611197972.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601592A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 路金蓉;王磊;刘静 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光透半导体材料及其制备方法 至一种光透半导体材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种光透半导体材料，包括基底和附着于所述基底上的液态金属层；所述液态金属层上方为氧化锌片层结构。本发明还涉及一种光透半导体材料的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上均匀喷涂液态金属层，静置至所述液态金属层的表面形成稳定氧化膜，得复合材料；(2)将步骤(1)所得复合材料浸没于包含硝酸锌、六次甲基四胺和水的基液中，充分静置后取出，即得。本发明提供光透半导体材料，既保留了氧化锌纳米结构本身良好的半导性，又大大提高了其透光性，且该材料的制备方法简单，制备工艺要求低，可广泛应用于电子工业，具有广阔的应用前景。 |
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