| 专利名称 | 二氟连二噻吩类聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用 | 申请号 | CN201611102164.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106589326A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘云圻;杨杰;赵志远;陈金佯;施龙献;郭云龙;王帅 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C07D209/34(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 二氟连二噻吩类聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用 至二氟连二噻吩类聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种二氟连二噻吩类聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用。二氟连二噻吩类聚合物的结构式如式I所示，其中n为5～100之间的自然数。本发明将氟原子引入至噻吩环上得到二氟连二噻吩(2FBT)，由于氟原子具有强的吸电子特性，原子半径小，与其它原子如氢原子或硫原子的相互作用也较强因此，氟原子的引入可以提高分子的平面性，促进分子堆积。以2FBT作为给体的聚合物具有较低的LUMO能级，传输层的电子注入较为容易，因而可以表现出双极性传输特性。本发明二氟连二噻吩类聚合物能够作为半导体材料层用于制备有机场效应晶体管。以本发明二氟连二噻吩聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管有较高的迁移率(μ)，在双极性OFETs中有良好的应用前景。 |
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