| 专利名称 | 一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法 | 申请号 | CN201611214194.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106588122A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 发明（设计）人 | 邱杰;刘华剑;俞国军;刘崎;夏汇浩;谢雷东;侯惠奇 | 主分类号 | C04B41/87(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/87(2006.01)I;C04B35/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法 至一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在碳基材料表面制备MoSi2涂层的方法。本发明将盐浴工艺与包埋渗硅工艺进行了有机结合，具有工艺操作简单、成本低的优点，并且特别适用于不规则形状的碳基材料部件，有利于规模化生产；不同于现有的以MoSi2粉末为包埋原料，通过高温烧结直接制备的涂层，本发明以盐浴法制备Mo2C过渡涂层，Mo2C深入钉扎到碳基材料内部，显著提高了涂层与基体的结合力；不同于现有的涂层硅化方法，本发明选择NiF2和/或FeF3作为活化剂，可有效降低涂层的制备温度（<1000℃，最低可达850℃），制备的涂层致密，没有裂纹缺陷。 |
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