| 专利名称 | 一种制备钛铝合金薄膜的方法 | 申请号 | CN201510648669.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106567053A | 公开（授权）日 | 2017.04.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;江南大学 | 发明（设计）人 | 丁玉强;赵超;项金娟;杨淑艳 | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备钛铝合金薄膜的方法 至一种制备钛铝合金薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备TiAl合金薄膜的方法，其中，提供反应腔室，该反应腔室内放置有至少一个衬底；向反应腔室中引入铝前驱物和钛前驱物，所述铝前驱物具有结构式(I)的分子结构；使所述铝前驱物和所述钛前驱物与所述衬底接触，通过气相沉积在所述衬底表面形成钛铝合金薄膜。本发明提供的方法解决了传统PVD在小尺寸器件中的台阶覆盖问题及不完全填充的问题，同时也避免了采用等离子体辅助形成钛铝合金薄膜，使得基底不受等离子体损伤，保证器件性能和/或可靠性不受影响。 |
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