| 专利名称 | 一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 | 申请号 | CN201510641898.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106558489A | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款;闫江 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/775(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 至一种纳米线结构、围栅纳米线器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种围栅纳米线器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成纳米线，纳米线的两端由衬垫支撑；形成包围纳米线的假栅极，在假栅极两侧形成侧墙，以及在假栅极两侧的纳米线中形成源漏区；形成金属前电介质层并进行平坦化处理；去除假栅极，以形成开口；对开口沟道区的纳米线进行微缩处理，以使得开口中的纳米线沿径向缩小。该方法能够使得沟道区域的纳米线和源漏区的纳米线实现有效隔离，在降低沟道区纳米线尺寸的同时，能够有效降低源漏区的接触电阻，从而不仅能够径向提高器件的栅控能力，还能提高器件的输出电流特性。更值得指出地是，目前的制备方法简单易行，和现有的MOSFET器件制造工艺相兼容，便于实现大规模生产。 |
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