| 专利名称 | 一种鳍及半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201510624492.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106558492A | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种鳍及半导体器件的制造方法 至一种鳍及半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种鳍的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始图案层，该初始图案层为半导体材料，并进行氧化工艺，以在初始图案层的侧壁上形成初始氧化层，形成有初始氧化层的初始图案层为第一结构；形成第n+1结构，包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙，第n侧墙为半导体材料，并进行氧化工艺，在第n侧墙的侧壁上形成第n氧化层，形成有第n氧化层的第n侧墙为第n+1结构，n从1至N，N≥1且为正整数；去除初始图案层，以及初始氧化层和第一氧化层至第n氧化层；将第一侧墙至第n侧墙的图案转移到衬底中，以形成鳍。该方法形成高密度的鳍的掩膜，进而提高鳍的集成度，同时，获得的鳍具有更好的形貌。 |
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