| 专利名称 | 一种反向PN型掺杂结构及制备方法 | 申请号 | CN201710063245.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106547122A | 公开（授权）日 | 2017.03.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所;青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 发明（设计）人 | 刘亚东;储涛;张华 | 主分类号 | G02F1/025(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/025(2006.01)I | 专利有效期 | 一种反向PN型掺杂结构及制备方法 至一种反向PN型掺杂结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种反向PN型硅基电光调制器的掺杂结构及制备方法。该掺杂结构集成在一个硅基鱼骨形条形波导上，包括P++型掺杂区域，N++型掺杂区域，P型掺杂区域，P?型掺杂区域，N型掺杂区域，N?型掺杂区域，条形光波导，电极，电极通孔，利用控制离子注入深度的方式制作竖直向反向PN型掺杂结构。本发明中条形光波导内的竖直方向反向PN结的形成主要靠选择不同的离子注入深度，简化了制备工艺步骤，同时降低了离子注入工艺中对掩膜对准精度的要求。 |
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