| 专利名称 | 一种空心六边形状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法 | 申请号 | CN201510589714.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106549153A | 公开（授权）日 | 2017.03.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈光文;陈会会;杨梅 | 主分类号 | H01M4/525(2010.01)I | IPC主分类号 | H01M4/525(2010.01)I;H01M4/1391(2010.01)I;C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种空心六边形状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法 至一种空心六边形状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种空心六边形状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法，属于无机材料领域。该制备方法具体过程为将钴盐水溶液和氨水溶液连续地通入微通道反应器，在微通道反应器中进行沉淀反应，反应后浆料流入搅拌釜式反应器，在一定温度及搅拌条件下陈化，一定时间后加入强碱溶液，继续陈化。陈化结束后，过滤、洗涤、干燥，得到一种纳米级空心六边形状羟基氧化钴材料。本发明具有反应过程半连续化、工艺流程简单、反应条件温和等优点，所得产品粒度分布窄、形貌可控、重现性好，有望在锂离子电池领域得到应用。 |
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