| 专利名称 | 能带缺陷密度分布的测试方法 | 申请号 | CN201510610881.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106546638A | 公开（授权）日 | 2017.03.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 戴明志 | 主分类号 | G01N27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 能带缺陷密度分布的测试方法 至能带缺陷密度分布的测试方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明涉及一种能带缺陷密度分布的测试方法，其包括以下步骤：先提供一测试系统以及一薄膜晶体管，该测试系统包括示波器、脉冲发生器、探针台和电流/电压转换器，该薄膜晶体管的半导体层为待测的氧化物，将该薄膜晶体管置于所述探针台，并将该薄膜晶体管的源极和漏极相连；再通过脉冲发生器通过施加多个不同幅值的脉冲电压，采集获得多个瞬态电流曲线，并对在脉冲电压的下降沿部分之后的瞬态电流随时间进行积分，得到多个电量值，再将多个电量值相减得到多个电量差值，再利用公式 |
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