| 专利名称 | 一种超薄金属氧化物纳米片制备方法及其应用 | 申请号 | CN201610992637.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106517098A | 公开（授权）日 | 2017.03.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 俞书宏;胡亚林;刘洋溢;詹慧娟 | 主分类号 | C01B13/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B13/14(2006.01)I;C01G1/02(2006.01)I;C01G3/02(2006.01)I;C01G53/04(2006.01)I;C01G49/06(2006.01)I;C01G45/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种超薄金属氧化物纳米片制备方法及其应用 至一种超薄金属氧化物纳米片制备方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种金属氧化物纳米片的制备方法，包括以下步骤，将可溶性金属源、氧化铜纳米片和水混合形成反应溶液，静置后再进行水热反应后，得到金属氧化物纳米片。本发明利用二维无机金属氧化物纳米材料作为模板诱导制备了二维超薄金属氧化物纳米片，具体以二维CuO纳米片为模板材料，采用外延生长法得到超薄金属氧化物纳米片，其表面平整，尺寸均一，生长在氧化铜纳米片的表面。本发明制备方法操作简单，无需复杂设备，条件温和，模板材料容易获得，过程可控，原材料来源广泛，有利于工业化实现，所制备出的超薄二维氧化物纳米材料在光电催化、电子器件、能源存储、光电探测等领域具有非常广泛的应用前景。 |
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