| 专利名称 | 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法 | 申请号 | CN201611202129.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106532434A | 公开（授权）日 | 2017.03.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邓秋芳;梁松;许俊杰;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I | 专利有效期 | 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法 至叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层；除去部分刻蚀终止层和下层多量子阱层；对接生长无源波导芯层；在上分别限制层上制作分布反馈光栅，并依次外延生长光栅覆盖层、掺杂盖层以及重掺杂接触层，并刻蚀掉部分重掺杂接触层；刻蚀有源波导、无源波导和深波导结构；并生长绝缘介质层；开电极接触窗口；制备金属P电极；并形成隔离沟；在衬底的背面制作另一金属N电极，完成芯片制备。 |
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