| 专利名称 | 电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件 | 申请号 | CN201611213900.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106531884A | 公开（授权）日 | 2017.03.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王开友;杨美音;蔡凯明 | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 专利有效期 | 电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件 至电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，产生垂直于该层方向的自旋流，位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层反生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。 |
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