| 专利名称 | 一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法 | 申请号 | CN201611243728.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106531683A | 公开（授权）日 | 2017.03.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;苏玉玉 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法 至一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法，该绝缘体上半导体材料衬底结构包括单晶硅衬底、绝缘体层、缓冲层和高迁移率半导体层，所述绝缘体层置于所述单晶硅衬底之上，所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上并置于所述绝缘体层之间，所述高迁移率半导体层置于所述绝缘体层和所述缓冲层之上。该绝缘体上半导体材料衬底结构的制备方法采用金属有机化学气相沉积法或分子束外延的方法，在硅衬底上实现绝缘体上高迁移率半导体材料的外延生长，在后摩尔时代高迁移率CMOS集成技术中具有重要的应用价值。 |
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