| 专利名称 | 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 | 申请号 | CN201610930814.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106451074A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王东博;刘舒曼;贾志伟;刘峰奇;王占国 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01S5/223(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 至一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。 |
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4、专员跟进，交易保障